《防靜電放電（ESD）損傷技術》研修班
講師：來萍 瀏覽次數(shu)：2594
課程描述INTRODUCTION
防靜電放電（ESD）損傷技術培訓(xun)
培訓講師：
課程價格：
培訓天數：日程(cheng)安排(pai)SCHEDULE
課程大綱Syllabus
防靜電放電（ESD）損傷技術培訓
課程大綱(gang)
一、電子(zi)元器件抗ESD損傷的基(ji)礎知識
本(ben)章介紹有(you)關靜電和(he)靜電放電的(de)基(ji)本(ben)原(yuan)理(li)，以及對元器件損傷的(de)主要(yao)機(ji)理(li)和(he)模(mo)式。主要(yao)內容有(you)：
1.1 靜(jing)(jing)電和靜(jing)(jing)電放(fang)電的定義和特點;
1.2 對靜電放(fang)電認識的發展歷史(shi) ;
1.3 靜(jing)電(dian)(dian)的(de)產(chan)(chan)生(sheng):1.3.1 摩擦產(chan)(chan)生(sheng)靜(jing)電(dian)(dian)1.3.2 感應產(chan)(chan)生(sheng)靜(jing)電(dian)(dian)1.3.3 靜(jing)電(dian)(dian)荷1.3.4 靜(jing)電(dian)(dian)勢1.3.5 影響靜(jing)電(dian)(dian)產(chan)(chan)生(sheng)和大小的(de)因素(su) ;
1.4 靜(jing)電(dian)(dian)(dian)的來(lai)源(yuan):1.4.1 人體(ti)靜(jing)電(dian)(dian)(dian) 1.4.2 儀器(qi)和設備(bei)的靜(jing)電(dian)(dian)(dian) 1.4.3 器(qi)件本身的靜(jing)電(dian)(dian)(dian) 1.4.4 其它靜(jing)電(dian)(dian)(dian)來(lai)源(yuan);
1.5 靜電(dian)(dian)(dian)放電(dian)(dian)(dian)的三(san)種(zhong)模(mo)式:1.5.1 帶電(dian)(dian)(dian)人體的放電(dian)(dian)(dian)模(mo)式 1.5.2 帶電(dian)(dian)(dian)機器的放電(dian)(dian)(dian)模(mo)式 1.5.3 充電(dian)(dian)(dian)器件的放電(dian)(dian)(dian)模(mo)式;
1.6 靜電(dian)(dian)放電(dian)(dian)失效(xiao):1.6.1 失效(xiao)模式 1.6.2 失效(xiao)機理(li);
二(er)、制(zhi)造過程的防靜電損傷(shang)技(ji)術
本章介(jie)紹在(zai)電子元器件(jian)制造和裝配(pei)過(guo)程中，對環(huan)境的靜電防護要求，以保證(zheng)電子元器件(jian)在(zai)制造和裝配(pei)過(guo)程中的靜電安全。主要內容有：
2.1 作用和意義: 2.1.1 多數電(dian)(dian)子(zi)元器件是靜電(dian)(dian)敏(min)感器件 2.1.2 靜電(dian)(dian)對電(dian)(dian)子(zi)行業造成的(de)損失很大 2.1.3 國(guo)內外企業的(de)狀況 ;
2.2 靜電(dian)對電(dian)子產品的損害(hai): 2.2.1 靜電(dian)損害(hai)的形式(shi) 2.2.2 靜電(dian)損害(hai)的特(te)點 2.2.3 可能產生靜電(dian)損害(hai)的制造過程;
2.3 靜電防保的目的和總的原(yuan)則: 2.3.1 目的和原(yuan)則 2.3.2 基(ji)本思路和技術途徑(jing);
2.4 靜電防護材(cai)料: 2.4.1與靜電防護材(cai)料有關的基本(ben)概念 2.4.2靜電防保材(cai)料的主要參數 ;
2.5 靜(jing)電(dian)防保器(qi)(qi)材 : 2.5.1 防靜(jing)電(dian)材料的(de)制品 2.5.2 靜(jing)合消除器(qi)(qi)（消電(dian)器(qi)(qi)、電(dian)中(zhong)和器(qi)(qi)或離子平衡器(qi)(qi)）;
2.6 靜電(dian)防保的具體措(cuo)施: 2.6.1建立(li)靜電(dian)安全工作區 2.6.2 包裝(zhuang)、運送和存儲工程的防靜電(dian)措(cuo)施;2.6.3 靜電(dian)檢測 2.6.4 靜電(dian)防護的管理工作 ;
三、電子元(yuan)器件(jian)抗ESD能力(li)的(de)檢測及分析技術
本章介紹對電子(zi)元器件的(de)(de)(de)抗ESD水平進行檢(jian)測的(de)(de)(de)技術。包括國內外抗ESD檢(jian)測的(de)(de)(de)主要(yao)標準，檢(jian)測的(de)(de)(de)模型和方法以及實際的(de)(de)(de)一些檢(jian)測結果(guo)和遇到(dao)的(de)(de)(de)問題。主要(yao)內容(rong)有：
3.1 抗靜電檢測的作用和意義 ;
3.2 靜電放(fang)電的標準波形;
3.3 抗ESD檢(jian)(jian)測標(biao)準: 3.3.1 電(dian)子元器件ESDS檢(jian)(jian)測及分類的常(chang)用標(biao)準 3.3.2 標(biao)準試(shi)驗方法的主(zhu)要內容;
3.4 實際ESD檢測(ce)的(de)結(jie)果統計及分析: 3.4.1 試驗條(tiao)件 3.4.2 ESD評價試驗結(jie)果分析 ;
3.5 ESD檢測中經常(chang)遇到的一些問題(ti) ;
3.6 ESD損傷的失效定位分(fen)析(xi)技(ji)術(shu): 3.6.1 端口I－V特(te)性檢(jian)測 3.6.2 光學顯(xian)微觀察 3.6.3 掃(sao)描電鏡(jing)分(fen)析(xi) 3.6.4 液晶分(fen)析(xi) 3.6.5光輻射顯(xian)微分(fen)析(xi)技(ji)術(shu) 3.6.6 分(fen)層(ceng)剝(bo)離技(ji)術(shu) 3.6.7 小結(jie) ;
3.7 ESD和EOS的判(pan)別方法討(tao)論: 3.7.1 概念(nian) 3.7.2 ESD和EOS對器件(jian)損傷的分(fen)析判(pan)別方法
四、電子元器件抗ESD設計技術
本章介紹電子元(yuan)器件抗ESD損(sun)傷的設計技術，主(zhu)要(yao)包括抗ESD設計的主(zhu)要(yao)原則(ze)、基本保護電路(lu)(lu)和*的大規模CMOS電路(lu)(lu)中保護電路(lu)(lu)的設計。主(zhu)要(yao)內(nei)容有：
4.1 元器件抗ESD設計基礎;
4.2 元器件(jian)基本抗ESD保護電(dian)路;
4.3 CMOS電路ESD失(shi)效模式和(he)機(ji)理(li);
4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略;
4.5 CMOS電(dian)路基本ESD保護電(dian)路的設計(ji);
4.6 電子設備ESD損傷途徑及其保護(hu)電路(lu)設計;
4.7 工藝控制和(he)管理(li);
防靜電放電（ESD）損傷技術培訓
轉載：//citymember.cn/gkk_detail/1255.html
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