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器件選型認證課程

課程大綱
第一章：器件選型與替換的基本問題
1.1、器件替換常見問題現象
1.1.1、原來正常工作的產品在器件替換后不能工作或性能降低
1.1.2、器件替換后，批次不良率數據變差
1.1.3、初次選型或替換時需要關注的故障誘發指標參數有哪些
1.1.4、如上問題的成因機理、分析方法
1.2、器件選型與替換技術分析要素
1.2.1、封裝帶來的問題
1.2.2、內部結構和材質帶來的問題
1.2.3、制造工藝帶來的使用性問題
1.2.4、內部電路不同帶來的參數差異
相同功能器件的內部拓撲圖對比、接口特性差異分析
1.2.5、批次質量水平一致性評價方法
以TVS、MOS管為例說明一致性指標的選擇、統計分布圖特征與隱含問題
1.2.6、有益參數和有害參數識別
以電容、運放為例說明在不同電路中的有益有害指標識別方法
1.2.7、器件應用前后級匹配選型設計注意事項
阻抗匹配原理，以數(shu)字芯片數(shu)據(ju)接口(kou)和模(mo)擬放(fang)大電路信號采集(ji)端口(kou)為例(li)

第二章：導致器件故障的應力類型與場合
2.1、瞬態EOS與累積性EOS
EOS成因、損傷特征、瞬態/累積性EOS特征對比、解決措施
2.2、溫度與溫度沖擊
器件受溫度和溫度沖擊應力的影響部位和機理，故障特征
2.3、閂鎖
CMOS類IC的閂鎖失效機理、測試方法、故障特征、解決措施
2.4、熱損傷
成因（瞬態過流、持續過流、負荷特性曲線超標）、損傷特征、解決措施
2.5、力學損傷
溫度/溫度沖擊/振動導致的力學損傷機理、損傷特征解決措施
2.6、MSD
潮敏器件的內部結構，失效的特征、機理、解決措施
2.7、潮濕與腐蝕
腐蝕的機理，故障特征、解決措施
2.8、VP與ESD
尖峰電壓的產生場合，損傷特征、解決措施
2.9、過渡過程
過渡過程對能量接口和數據接口的不同影響分析、過渡過程超調和振蕩的產
生場合、解決措施
2.10、熱插拔
熱插拔的發生場合、損傷特征、解決措施
2.11、接地不良
接地不良引起器件故障的發生機理、解決措施
2.12、設備互聯匹配問題
2.13、電感瞬態過程
反向電動勢的影響、解決措施
2.14、電容瞬態過程
2.15、時間應力自然老化
2.16、氣壓問題
安規、高(gao)壓、發熱、密封器件(jian)的壓差作用機(ji)理

第三章：選型認證與替換方法、入廠篩選和壽命終止極限判定
3.1、分立元件
電阻、電容、電感、磁珠、導線的篩選指標、質控條件判據、壽命終止判據
3.2、保護類器件
保險絲/TVS/MOV/壓敏電阻/GDT/NTC電阻/PTC電阻的篩選指標、
質控條件判據、壽命終止判據
3.3、模擬類IC類器件
運放、ADDA、LDO的篩選指標、質控條件判據、壽命終止判據
3.4、接口器件
光耦隔離電路、CAN總線、485總線、模擬信號傳輸接口電路的篩選指標、
質控條件判據、壽命終止判據
3.5、二極管三極管
篩選指標、質控條件判據、壽命終止判據
3.6、功率開關器件
MOSFET/IGBT/功率三極管/繼電器的篩選指標、質控條件判據、壽命終止判據
3.7、按鍵
3.8、線纜接插件
篩選指標、質控條件判據、壽命終止判據
3.9、數字類IC器件
MCU、存儲芯(xin)片、邏輯(ji)門電路(lu)的篩選指(zhi)標、質(zhi)控條件判據(ju)、壽命終止判據(ju)

第四章：器件失效分析方法
4.1、目測與鏡檢
4.2、參數統計分析方法
4.3、IV曲線
4.4、DPA
4.5、X光
4.6、失效特征示例和失效特征判別方法
以IC芯片、電阻(zu)、電容、二極管三極管、保護器件為例(li)分(fen)別展開

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